Le Silicium Indium de Gallium et Cuivre (CIGS) dans sa structure chalcopyrite possède des propriétés électriques et électroniques intéressantes. Notre étude a porté sur la concentration de dopage des différentes couches constituant le CIGS et les effets des contacts avant et arrière sur les performances photovoltaïques de la cellule solaire. Nous avons fait la simulation de la variation de la concentration de dopage des différentes couches constituant le CIGS à l’aide d’AMPS-1D. Les effets du dopage des différentes couches constituant la cellule solaire à base de CIGS sur les paramètres photovoltaïques tel que le rendement (η) la tension de circuit ouvert (Vco) et la densité de court-circuit(Jsc) ont été étudiés. L’augmentation de la concentration de dopage des couches a un effet sur les performances des cellules solaires. Le plus grand rendement a été obtenu lorsqu’on a augmenté la concentration de dopage de la couche absorbeur. L’augmentation des conditions aux limites du contact avant diminue le rendement des cellules photovoltaïques tandis que l’augmentation des conditions aux limites du contact arrière l’augmente.