Cet article présente l’étude numérique, en utilisant le programme SCAPS-1D, des effets de la teneur du sélénium dans la couche absorbante CZTS1-xSex où x est le rapport x = [Se] / [S] avec [Se] et [S] les concentrations du sélénium et du soufre respectivement, sur les caractéristiques électriques de la cellule solaire, pour différentes couches tampons CdS , ZnS et ZnSe. Les paramètres des matériaux utilisés dans cette simulation sont l’énergie du gap, l’affinité électronique, la constante diélectrique relative, les densités effectives, les vitesses thermiques, les mobilités des porteurs de charge et les densités des dopants. La variation de la bande interdite de CZTS1-xSex est calculée à partir de la loi de Végard. Les valeurs numériques des rendements obtenues avec les couches ZnS et ZnSe sont comparables à celle de la couche CdS. Le maximum, relatif à la couche ZnS, est de l’ordre de 19.04 % pour un taux de sélénium avoisinant 20 % c’est à-dire pour un gap de 1.4 eV.