Le sulfure d’indium (In2S3) est un matériau très important pour l'optoélectronique et pour les applications photovoltaïques, c’est un candidat prometteur pour des applications technologiques en raison de sa stabilité, de sa large bande interdite (gap) et de son comportement photoconducteur. Dans ce travail nous avons préparé des couches minces d’In2S3 par la méthode de pulvérisation chimique réactive (Spray Pyrolysis) en vue de leur utilisation en tant que fenêtre optique dans la cellule solaire type CIS/In2S3, sur des substrats en verre ordinaire préchauffés à une température du substrat (Ts) variant entre 300 et 400 °C. L’analyse par la diffraction des rayons X a montré que tous les pics de diffraction sont de structure tétragonale β-In2S3, avec une orientation préférentielle le long de la direction (0012). La valeur de l'énergie de gap diminue de 2,77 à 2,66 eV lorsque la température du substrat augmente de 300 à 400 °C.