Des couches minces de TiO2 dopé au cuivre ont été préparées par la méthode Sol-Gel et déposées selon le procédé dip-coating sur des substrats en verre. Les propriétés structurales, optiques et électriques des échantillons monocouches dopés 0, 3 et 7 % at. cuivre ont été analysées par diffraction des rayons X (DRX), microscopie à force atomique (AFM), la spectroscopie ellipsométrique (SE) et spectroscopie UV-Visible. La structure des films est celle d’une phase anatase avec une orientation préférentielle suivant l’axe (101). La transmittance est de l’ordre de 75 % dans le visible et l’énergie de la bande optique interdite varie de 3,3 à 2,97 eV. Les valeurs de l’indice de réfraction et de la densité de remplissage augmentent avec l’augmentation du dopage en cuivre qui se situe dans l’intervalle 0 à 7 % at. La caractérisation électrique, réalisée à l'aide de la technique de deux pointes, a donné une conductivité électrique maximale de 1,29 (cm)-1 obtenue pour le film dopé à 7 % Cu.